Смартфоны 2018 года получат до 512 Гб сверхбыстрой памяти

10.03.2017

Современные смартфоны стали весьма быстрыми и пользователи воспринимают это как должное. Однако технологии делают устройства ещё быстрее, пока не достигнут своего предела, но никто не знает, когда это случится. Пока этого не произошло, память типа UFS для смартфонов и других мобильных устройств со скоростями чтения/записи до 50000/40000 IOPS может стать доступна уже в следующем году. Нынешняя память UFS, для сравнения, предлагает скорости 19000/14000 IOPS.

Впервые использовавшаяся Samsung в серии смартфонов Galaxy S6 series, память UFS обладает скоростями чтения и записи выше, чем у стандарта eMMC. Компания под названием Silicon Motion Technology смогла улучшить эту технологию и анонсировала контроллеры памяти UFS 2.1. Помимо указанных выше высоких скоростей поддерживается объём памяти до 512 Гб и снижено энергопотребление. В не относящихся к флагманам смартфонах сейчас распространена память eMMC 5.1, по сравнению с которой UFS 2.1 втрое быстрее. Она может вытеснить технологию eMMC в следующие пять лет.

Производство контроллеров UFS 2.1 начнётся в нынешнем году, сейчас партнёрам OEM рассылаются пробные образцы.

По материалам phonearena.com

wsinform.com

  Комментарии






Использование материалов разрешается только при условии размещения ссылки

(для интернет-изданий - гиперссылки) на wsinform.com и первоисточник.

Мнение редакции портала не всегда совпадает с мнением авторов статей.

© 2008, Информационный портал "wsinform".

 

 В России | В МИРЕ | Автомир | HiTech 

Рейтинг@Mail.ru

admin@wsinform.com

advert@wsinform.com